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VHS-1000℃真空管式气氛炉

VHS-1000℃真空管式气氛炉
供应数量:
375
发布日期:
2018/11/24
有效日期:
2019/5/27
原 产 地:
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产品报价:
  [详细资料]

这款CVD系统集真空管式炉,多通道气路系统和真空系统组成,可根据用户需要设计生产(有双温区、三温区、多温区),可预抽真空(有高真空、低真空),通多种气氛(供气系统有质子流量器和浮子流量控制器)。性能可靠。控制电路选用模糊PID程控技术,具有控温精度高,温冲幅度小,性能可靠,简单易操作等特点。CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。

高真空管式炉

 炉管尺寸

外径Φ60×1000mm,Φ80×1000mm,Φ100×1000mm

 极限温度

1000 ℃

工作温度

200 -900 ℃

温度控制器

PID自动控制 晶闸管(可控硅)输出功率, 50段可编程控制器

zui快升降温速率

≤10℃/min

加热区

400mm

恒温区

200mm

温度精度

±1 ℃

电源:

单相220V,交流50Hz


多通道流量计控制系统

标准量程

100,200 ,500,1000SCCM; (以氮气标定,除以上标准外量程可选)

准确度

±1.5%

工作压差范围

0.01~0.05 MPa

zui大压力

0.02MPa

接头类型

Φ6双卡套不锈钢接头

高真空系统

泵体积流量N2

33 L/S

压缩比

10:11    

实验真空值

10-3Par

功率消耗

140W

启动时间:

2min

电源要求:

185-265VAC

本公司可定制各种CVD系统。
:139 1789 8272 ,138 1685 2761,欢迎客户。

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